电子发烧友

我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。

2023-02-22 10:59

本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能

2023-11-27 17:15

三菱电机公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱

2023-08-08 15:54

)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85

2022-11-29 14:46

(UWBG)(带隙4.5eV)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85 eV的大带隙和晶体生长方面的突破，导

2022-12-19 20:36

)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85

2022-12-28 17:46

在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试

2025-04-29 11:13

FLOSFIA 的氧化镓功率器件使用一种称为α-Ga2O3的材料。氧化镓具有不同晶形的β-Ga2O3，结构更稳定。然而，由于α型在带隙等特性方面优越（Si的带隙值(eV

2022-07-28 11:22

氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。

2023-08-17 14:24

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的优势和巨大的发展潜力，越来越得到国内外的重视。

2023-05-24 10:44