发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体
2023-04-02 01:53
水平。2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代
2023-03-15 11:09
，还请大家海涵，如有需要可看文尾联系方式，当前在网络平台上均以“ 爱在七夕时 ”的昵称为ID跟大家一起交流学习！ 近两年来，氧化镓作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了
2025-09-24 18:23
第四代半导体我们其实叫超禁带半导体，它分两个方向，一是超窄禁带，禁带宽度（指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量）在零点几电子伏特（eV），比超窄禁带更窄的材料便
2022-08-22 11:10
能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能，被视为下一代
2024-08-27 10:59
第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化
2023-02-23 14:57
本文从基本概念、接入系统、关键技术等几个方面全面介绍了第四代移动通信系统，并简单介绍了OFDM 技术在第四代移动通信中的应用。
2009-11-28 11:46
意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法
2024-10-12 11:30
意法半导体（简称ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，标志着公司在高效能半导体领域又迈出了重要一步。此次推出的第四代技术，在能效、功
2024-10-10 18:27
来源:半导体材料及器件 二战以来，半导体的发展极大的推动了科技的进步，当前半导体领域是中美竞争的核心领域之一。以硅基为核心的第一
2024-09-26 15:35
