引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-02-10 15:33
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV
2018-10-08 15:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 07:27 编辑 BJT的开关特性 ＮＰＮ型BJT的结构如下图所示。 从图中可见ＮＰＮ型BJT由两个Ｎ型区
2009-04-06 23:58
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
作者：Brian King今天，开关电源将把 MOSFET 作为电源开关几乎是意料之中的事情。但在一些实例中，与 MOSFET 相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在
2018-09-18 11:32
嗨：是否可以在EMpro仿真中对BJT / MOSFET等器件进行建模？我在想是否可以将其建模为EMpro中的电流/电压源。这是一个正确的假设吗？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi
2018-11-29 10:39
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器？
2021-04-13 07:12
同时与时间、能量相关的电容测量方法，是透过MOSFET数据表中通常会提供的电容与电压比较曲线。此方法极有好处，因为它仅要求常备的电感电容电阻(LCR)仪表，而不必开发专用装置。但还需要建立与电压相关
2014-10-08 12:00
特性。施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，N沟道MOSFET完全在第三象限欧姆区内工作。然而，当栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性
2021-04-09 09:20
依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET，根据栅极驱动工作电流生产1
2024-06-11 15:19
