二為低電壓功率電晶體的常用表面接著封裝之特性比較表，包括了：封裝之寄生電感值、寄生電阻值、封
2018-12-05 09:48
中造成輻射超標的原因常常是應該極小化的環路變成了大的環路，或者是附加線上路上的導線形成了多餘的輻射。這些大回路或導線所形成的天線效應將在總的輻射中發揮主要的作用。轉
2019-09-20 09:05
，更高頻率波段則往上切換，這樣可以提供更低的電感。如果你在１０公尺波段把Ｃ１及Ｌ１都設在最低位置，
2010-04-19 19:13
由於寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以矽為基礎的元件
2019-09-19 09:05
，差分放大器和比較器偏移消除階段。5)檢測閾值電壓產生電路，產生所用的參考電壓用於檢測磁場的閾值極限。6)比較器，它在
2019-09-17 09:05
線路中使用的關鍵因素，在這種情況下，一般用一個TVS管與一個快恢復二極體以背對背的方式連接，由於快恢復二
2013-12-03 13:08
。目前英飛凌正積極研發新技術，讓各個應用領域之電源轉換效率再提高數個百分比，儘管，在效能的提升方面是緩慢而有限的，以今日
2018-12-05 09:46
(Stack)。內建準確的低電壓偵測電路(LVD)。 內建十一加一通道 12 位元類比數位轉換器(Analog toDigital Converter)。 內建準確的電壓比較
2022-10-10 11:19
小的) 2545大(快恢復二極管) 4500M貼片場效應管 晶振14.318和晶振32.76832.768和24.57LM=========筆記本常用場效應
2012-01-25 12:09
模式為最普遍的控制技術。但此類轉換器有以下幾種限制，使得其功率密度無法大幅提升： 一、功率開關之切換損失、功率二極體逆向
2019-09-12 09:05
