国产碳化硅MOSFET“最低导通电阻和最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相与潜在危害分析： 为了谋求短期利益博取融资或
2025-03-17 16:40
本文基于PGC 咨询公司进行的分析，研究了当今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了这些问题，包括栅极氧化物可靠性的优化，这有助于降低比导通电阻，降低碳化硅成本。
2022-07-29 17:19
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么? 传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27
MOS器件第一个深沟槽（Deep Trench）作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻（RSP）和栅极电荷（Q
2021-05-08 17:47
理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，EC是所需耐压的临界电场值。
2023-05-23 09:26
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11
瑶芯微此次参评的专注于“车规级低比导通电阻SiC MOSFET”，专家们一致赞赏该产品具有卓越的研究成果，堪称行业翘楚。凭借诸多优点，经过严谨评鉴，评委会授予瑶芯微的SiC MOSFET技术极高评价，同时认定其拥有自
2023-12-25 10:56
导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量
2022-01-29 15:49
