控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
MOS器件第一个深沟槽（Deep Trench）作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻（RSP）和栅极电荷（Q
2021-05-08 17:47
导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量
2022-01-29 15:49
第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光储一体机，将会比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58
比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24
一定的温度范围内，精密电阻的误差比普通电阻的误差小很多。 实质上的差别： 制作精密电阻的材料温度稳定性要高于普通电阻的材
2017-11-25 10:32
精密合金电阻和普通电阻的区别有那几个方面呢？首先它们使用不同的材料，因而性能上就存在差别：制作精密合金电阻的材料温度稳定性要高于普通电阻的材料，在一定的温度范围内，精密
2019-12-20 14:19
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2022-11-14 09:05
