，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21
比亚迪元EV360该车的购置总成本为10.34万元，包含车辆本身在2018年8月的北京地区补贴后售价9.99万元，3000元的车辆保险费用及500元的上牌费。 比亚迪元EV360作为比亚迪e平台首款
2025-02-10 11:38
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市，被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应，如果内部和外部
2022-08-12 09:42
模组，以解决社会问题，并克服欧洲在其已处于世界领先水平的细分市场以及汽车、航空电子、铁路和国防领域所面临的技术挑战。展示品所有技术开发和目标应用的讲解和展示，都是使用含有本专案开发出来的SiC技术模组
2019-06-27 04:20
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片
2018-11-30 11:34
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40
深圳比亚迪微电子有限公司嵌入式产品中心将在本届慕尼黑电子展上隆重推出全新指纹识别芯片。该芯片打破了指纹识别技术中依赖于外部金属环发射电信号的传统，摒弃金属环让指纹识别模组的无金属环技术方案成为现实
2016-03-14 16:26
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58
可以很快期待Littelfuse和英飞凌的产品。 图5：各供应商的SiC MOSFET开发活动现状。 多芯片功率模块也是SiC世界中客户和供应商之间的热门话题。图6也摘自Yole的D
2023-02-27 13:48
