当反向电压降低到硅二极管的死区电压以下时（约为0.5-1V），硅二极管基本上是不导电的。当反向电流通过硅二极管时，电子将被弹回p区域，离开空间电荷区域。由于空间电荷区域只有很小的粒子浓度，电子在通过空间电荷区域时感受
2023-08-26 09:50
锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
2019-10-09 10:07
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
2017-04-27 09:12
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
2019-06-25 14:31
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
2017-10-26 15:22
的半个周期。但是， 由于晶体管的输入特性曲线在VBE较小时是弯曲的，晶体管基本。 上不导通，即存在死区电压V r 。当输入信号电压小于死区
2018-10-06 10:33
通过以上方程，现在可以根据测量值来计算所需的死区时间。使用计算出的死区时间，需要进行最坏情况下的测量来验算死区时间的计算值是否足够。
2024-12-16 09:39
NI Multisim 10经典教程分享--死区电路
2022-12-30 09:34
保护死区的概念和解决方法
2023-07-15 11:02
什么是死区时间？PWM是脉冲宽度调制，在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。大致如下图所示；
2020-11-22 11:34
