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  • SiC-SBD的正向特性,与正向电流及温度的依赖关系

    Si-FRD从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流,在此期间转移为反向偏压状态,从而产生很大的损耗。这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡(该时间也称为积聚时间)。

    2018-04-10 11:02

  • 芯片的反向设计和正向设计的区别

    芯片反向分析(reverseengineering, RE)也称反向设计或反向工程,之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。

    2018-08-01 11:17

  • 正向偏置反向偏置图解

    当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。

    2018-10-06 15:53

  • SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

    二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。

    2023-02-22 09:18

  • 硅二极管的正向压降是多少

    硅二极管的正向压降是指在二极管导通时,其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间,但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的正向压降

    2024-10-14 15:48

  • 什么是芯片正向设计?芯片设计的具体流程解析

    真正从0开始设计的芯片,不是没有,而是成本太高,企业无法承担,而且也并没有必要从0开始设计。

    2018-08-01 11:41

  • 电子电气架构正向开发流程介绍

    同时可以将Requirement和Customer Feature进行映射关联,从而实现追溯,另外Customer Feature和Requirement在向下映射过程也是有差别的,Customer Feature通常和逻辑架构层(Logical Function Architecture)的元素(Activity Chain)进行映射,而Requirement通常和软件架构层(Software Architecture)的元素以及硬件架构层(Harware Architecture)的元素进行映射。

    2023-05-08 10:29

  • 浅谈解析汽车的正向、逆向开发流程

    概念设计的最后阶段是制作油泥模型:制作3~5个1:4油泥模型,制作小比例模型主要是为了节约成本及时间。对外观评审后,选定其中一个制作1:1油泥模型;根据总布置图构建1:1的主模型线图,接下来制作1:1的油泥模型。

    2018-10-06 10:24

  • PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄?

    PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为:**PN结外加正向电压,此时外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场

    2023-10-18 17:38

  • 发光二极管正向和反向电压的电路图

    正向电压就是工作电压,就是发光二极管工作时,灯两端的电压值,这个电压值跟电流有关系!上图中,用140mA电流供电时,发光二极管正向电压是3.0V。

    2018-08-27 10:50