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    dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。

    2022-03-29 17:53

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    2021-03-15 15:16

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    2018-07-06 14:46

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    2015-10-06 10:38

  • 英飞凌隔离型驱动能轻松驾驭更高dv/dt

    通过上述的分析对比,英飞凌隔离型驱动在芯片技术、工作电压、输出电流、副边电源电压、工作结温、传输延时、共模瞬变抗扰度、可靠性、功能性等方面,相对光耦都有明显的优势,是高性能高可靠性隔离型驱动的最佳选择。

    2022-04-11 14:51

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    2023-01-17 16:47

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    2019-07-18 15:04

  • 三种降低开关电路中有害dv/dt瞬变的方法

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    2021-04-14 15:19