GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即
2023-07-02 11:18
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。由于功函数差导致界面处形成势垒，使得电流电压关系呈非线性。
2024-10-22 10:37
6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.
2022-01-26 10:08 深圳市致知行科技有限公司 企业号
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.
2022-01-25 09:18 深圳市致知行科技有限公司 企业号
传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞8
2023-04-29 16:46
一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
2018-07-04 15:34
1．正向电压降低，暗光A：一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。B：一种是电极与材料为非欧姆
2020-12-24 10:20
和应用》6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.2.2n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-07 16:12 深圳市致知行科技有限公司 企业号
栅极电压。上升过程，P阱中电子流向沟道，空穴流出P阱，在流经P阱电阻及P型欧姆接触电阻时，P阱瞬态电位上升，等效阈值电压升高; 漏极电压下降过程，P阱空间电荷区变窄，空穴流入P阱的空间电荷区，在流经P阱电阻及P型
2023-10-08 10:59
6.5总结第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16 深圳市致知行科技有限公司 企业号
