GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即
2023-07-02 11:18
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。由于功函数差导致界面处形成势垒，使得电流电压关系呈非线性。
2024-10-22 10:37
二维半导体因其原子级厚度和独特电学性质，成为后摩尔时代器件的核心材料。然而，金属-半导体接触电阻成为限制器件性能的关键瓶颈。传统二维半导体（如MoS₂、黑磷）普遍存在高肖特基势垒问题，导致载流子注入
2025-09-29 13:43 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
2018-07-04 15:34
典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33
4H-碳化硅（4H-SiC）因其宽禁带（3.26eV）、高热导率（4.9W·cm⁻¹·K⁻¹）和高击穿场强（2.5MV·cm⁻¹），成为高温、高功率电子器件的核心材料。然而，其欧姆接触的精准表征面临
2025-09-29 13:45 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
（1）一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。 （2）一种是电极与材料为非欧姆接
2018-02-02 15:02
系统的研发。在半导体器件制造过程中，金属-半导体欧姆接触的质量直接影响器件性能。传输线模型（TLM）作为最常用的测量方法，其测量结果却在不同尺寸设备间存在显著差异
2025-09-29 13:46 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
传输线方法（TLM）作为常见的电阻测量技术，广泛应用于半导体器件中沟道电阻与接触电阻的提取。传统的TLM模型基于理想欧姆接触假设，忽略了界面缺陷、势垒等非理想因素引入的界面电阻，尤其在氧化物半导体如
2025-09-29 13:43 苏州埃利测量仪器有限公司 企业号
