GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即
2023-07-02 11:18
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。由于功函数差导致界面处形成势垒，使得电流电压关系呈非线性。
2024-10-22 10:37
一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
2018-07-04 15:34
典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33
（1）一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。 （2）一种是电极与材料为非欧姆接
2018-02-02 15:02
零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，零欧姆电阻并非真正的阻值为零，欧姆电阻实际是电阻值很小的电阻。
2023-08-06 11:46
， 可以使得界面形成良好的欧姆接触， 有利于载流子由电极至有机传输层的注入． 然而， 金属薄层会极大限制电极的透光性， 在Mg：Ag合金厚度为8?nm时， 电极的透光率甚至达不到50％， 这是增加金属阻挡层的缺点。
2018-06-08 16:00
本文首先介绍了零欧姆电阻的概念，其次介绍了零欧姆电阻的作用，最后介绍了零欧姆电阻的其他用途。
2019-10-24 08:49
