低功耗（Low Power Design）and UPF介紹一、低功耗設計策略（Lower-power design strategies）1.1、動態和靜態功耗（Dynamic
2021-07-27 07:26
具備處理外部模擬信號功能是很多電子設備的基本要求。為了將模擬信號轉換為數字信號，就需要藉助A/D 轉換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起，就可減少電路的元件數量和電
2012-08-22 11:48
2011-02-17 08:16
合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。理论记忆法：当BJT的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反向漏电流IEBO和ICBO分别流过两个结，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE
2012-08-13 12:50
器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下，MOSFET 与 BJT 之间的效率差异
2022-11-23 08:08
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
驱动篇 – BJT晶体管应用感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计
2021-07-21 06:31
SMT製程簡介
2012-08-11 10:00
MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路，功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。BJT 可能需要
2018-05-13 11:54
BJT器件采用多种封装，专为中等功率表面贴装应用而设计。 2Sx BJT具有-55ºC至150ºC的宽存储温度（Tstg）范围，结温（TJ）为150ºC。 典型应用包括通用小信号放大器，电源，高速开关
2019-06-03 14:41
