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  • 充电模式模拟CMOS电路的设计

    经过两年的初步研究,以及几项正在申请的专利,去年夏天成立,加利福尼亚创业公司赛道种子父母和女儿联合创始人鲍勃和苏珊舒柏已经开始对他们的深度子微米基于CMOS模拟电路。

    2019-08-09 09:14

  • 如何解决模拟CMOS中静电和过压的危害?

    对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压(信号电压超过电源电压)。

    2018-08-28 08:53

  • 关于模拟CMOS两大主要危害的解析

    对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压(信号电压超过电源电压)。了解这两大危害,用户便可以有效应对。

    2018-05-07 10:49

  • 基于模拟CMOS图像传感器分类器的设计

    格式,然后存储在本地存储器中或传输到外部计算单元以执行所需的处理任务。由于其主要目标是减少如模拟-数字转换和数据传输等低效率操作的影响,因此,具有嵌入式分类功能的认知图像传感器的概念将成为未来应用(如可穿戴和移动医疗电子设备、电池供电系统)的一个极具吸引力的解决方案。

    2022-10-18 16:05

  • 模拟CMOS集成电路设计-第三章课后习题深度解答

    前言 《模拟CMOS集成电路设计》是本人读书期间的学习用书,在工作中也逐渐成为手头必备的工具书。该书的内容以其语言精练,内容详实,重在基础等特点,逐渐成为模拟集成电路新人入门书籍。该书的习题也特别

    2022-11-21 11:43

  • 模拟CMOS集成电路设计:零极点对消

    极点零点对消与极点分裂法(见前述推文)一样,可以使两个极点分离

    2023-10-18 15:09

  • 四步走克服模拟CMOS两大危害静电及过压

    在插人插座时,CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路,栅极上的电荷会穿过氧化层释放而损坏器件。

    2018-03-29 08:41

  • 日本新泻(Niigata)的 5/6 英寸混合制造设施可支持模拟 CMOS工艺

    新泻 5/6 英寸制造设施是 2011 年收购日本三洋公司而获得,认设施通过了 IATF 16949 车规认证。现在晶圆制造厂获得车规认证颇为不易,也许该设施能够吸引买家。

    2020-08-15 10:00

  • 模拟CMOS集成电路设计:虚零点法

    虚零点法是指引入的对应零点只出现在环路增益A(s)F(s)中,而不出现在闭环传递函数H(S)中,能够实现此目的的零点

    2023-10-18 15:13

  • 这是一篇长长长长的纯手写学习笔记:模拟CMOS集成电路设计入门(1)

    有趣和困难的问题,比如:晶体管的缺陷,电源电压的降低,功耗,电路的复杂性,PVT的变化等等这些在设计前期就了解这些方面对模拟集成电路设计的限制会对之后设计出更加合适的电路有帮助。 CMOS器件尺寸按比例不断缩小提高了MOS的速度,在

    2023-09-19 10:34