与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性
2024-11-14 14:55
CMOS线性调整器虽然按用途分类多种多样，但按性能大致分为有重视低消耗电流的调整器和重视瞬态响应的高速LDO。由于这些区别对于跟随输入电压或输出电流的变化而不同，所以只用一般的DC特性难以表现。因此最近为了表示CMOS
2018-05-17 15:49
反相器是所有数字设计的核心。静态CMOS反相器具有以下重要特性
2024-02-26 14:40
本例介绍了CMOS传感器仿真工作流，其中包括三维宽带光学和电学仿真，与前面的案例（Lumerical 针对 CMOS image sensor 仿真中的角度响应）相比，提供了一个更真实和通用的演示。本例考虑了入射光的方位角和极化角，必要时可以提取EQE用于SPEO
2022-12-20 14:04
用模拟开关芯片（ADG442BRZ）直接驱动继电器电路 在电子爱好者认识电路知识的的习惯中，总认为CMOS集成块本身不能直接带动继电器工作，但实际上，部分CMOS集成块不仅能直接带动继电器工作，而且工作还非常稳定可
2019-06-04 14:32
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
2018-05-07 10:49
本篇介绍了DC/DC模拟的基本使用方法及确认基本特性的方法。
2024-08-20 17:08
近日， 美国橡树岭国家实验室的Ilias Belharouaka等人发表综述文章，总结了正极包覆的化学和物理特性以及选择标准。此外，还讨论了包覆厚度的概念以及实现均匀包覆的方法，并总结了正极表面包覆的最新进展，有效性和必要性，指出了包覆类型/厚度与锂离子通过包覆层
2022-10-08 16:44
在集成电路系统中，模拟乘法器在信号调制解调、鉴相、频率转换、自动增益控制和功率因数校正控制等许多方面有着非常广泛的应用。实现模拟乘法器的方法有很多，按采用的工艺不同，可以分为三极管乘法器和CMOS乘法器。
2021-03-23 09:40
在本例中，通过使用FDTD求解器和CHARGE求解器对CMOS图像传感器的光学和电学特性进行仿真，从而分析其角度响应。仿真的结果主要包括：光的空间分布与传输，光效率及量子效率与光入射角度的关系，同时还分析了微透镜位移产生的影响。
2022-10-19 11:51
