在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。
2024-04-10 14:22
近日，铠侠株式会社（Kioxia Corporation）宣布开发出创新的储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。
2019-12-24 16:35
`PW2320采用先进的沟道技术，以提供优良的RDS（ON），低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。 特征VDS=20V ID=8ARDS（开）&
2021-01-04 17:14
这种类型采用先进的沟道技术和设计，以提供优秀的低栅电荷RDS（ON）。
2021-03-02 16:40
栅电荷，反向恢复时间，开关时间测试方法，LX9600
2014-03-27 10:51
一般说明PW3400A采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=30V ID=5.8ARDS（开）
2020-12-21 16:59
一般说明PW2302A采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。该装置适用于电池保护或其他开关应用。 特点VDS=20V ID=3.2ARDS（开）
2020-12-23 13:01
TDM3478采用先进的沟槽技术，提供卓越的无线电数据系统（ON）和低栅电荷。该装置适合作为负载开关或在pwm应用中使用。
2019-09-10 08:00
先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅电荷和低工作电压。该装置适用于负载开关或PWM
2021-03-18 17:35
LY50N03K采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷。它可以用于各种各样的应用
2020-11-10 08:00
