在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。目标是要最大程度地减小这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为实现开关必须对其进行充电/放电。较高的瞬态电流会加速此过程。
2019-10-10 09:37
IGBT的驱动电路必须具备两种功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
2019-10-07 14:26
五极管，也称为五极真空管或五极电子管，是一种在电子学和无线电工程中使用的电子管。它由五个电极组成：阴极（cathode）、控制栅极（control grid）、帘栅极（screen grid）、阳极
2024-09-24 14:34
本文介绍了集成电路制造工艺中的栅极的工作原理、材料、工艺，以及先进栅极工艺技术。
2025-03-27 16:07
在分析共栅极架构(CG)的LNA前，需要先回顾一下共栅架构MOS管的输入阻抗，输出阻抗和电压增益的推导过程。
2023-03-26 13:50
栅极驱动芯片选型时考虑低功耗的原因主要有以下几点： 1. 降低系统能耗 低功耗的栅极驱动芯片能够显著降低整个系统的待机功耗，这对于需要长时间运行的电子设备尤为重要。低功耗特性能够延长设备的电池寿命
2024-09-18 09:20
在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极
2022-09-27 15:29
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17
1、如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小 MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。 2、栅极电阻阻值过大 MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级
2022-11-04 13:37
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了MOS管的导通和截止状态，进而
2024-09-18 09:42
