在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.
2017-01-13 15:14
图1所示为评估模块（EVM）示意图。图1：设计原理图栅极电荷和IC损耗在诸如LM2673的典型非同步降压稳压器中，功耗部件包括集成电路、电感器和箝位二极管。穿过输入和输出电容和寄生等效串联电阻（ESR）的均方根（RMS）电流非常低；因此，你可以忽略这些组件的损耗。
2022-11-16 07:54
描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅
2021-11-17 06:41
2022-12-01 22:47
本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极
2023-02-23 10:40
目前,越来越多的IC芯片都需要低电压供电。随着功率变换器输出电压的降低,整流损耗成为变换器的主要损耗。为使变换器达到很高的效率,必须降低整流损耗。原有整流电路使用肖特基
2011-09-02 17:17
