MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了MOS管的导通和截止状态，进而
2024-09-18 09:42
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和阳极之间的电容效应，提高放大器的稳定性和频率响应。 在五极管中，帘
2024-09-24 14:34
FET通过影响导电沟道的尺寸和形状，控制从源到漏的电子流（或者空穴流）。沟道是由（是否）加在栅极和源极的电压而创造和影响的（为了讨论的简便，这默认体和源极是相连的）。导电沟道是从源极到漏极的电子流。
2019-07-12 17:50
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源应用中
2024-02-20 11:00
音响设备中，电子管仍然因其独特的音质特性而受到一些音频爱好者的青睐。 帘栅极电压是电子管中的一个重要参数，它影响着电子管的工作状态和性能。在电子管中，帘栅极（grid）是用来控制阴极（cathode）发射的电子流的。
2024-09-24 14:42
除了其他关键的改进外，最近推出的1200V CoolSiC™ MOSFET，即M1H，还显示出了出色的稳定性，并降低了漂移现象的影响。
2022-06-13 10:03
阶段2(tl—t2)：在t1时刻，VGE>Vth，沟道开启，电子开始通过沟道注入到基区，同时背面的集电极开始向基区内注入空穴，集电极开始产生电流IC，此时IC<IL，随着沟道开启程度的增加，IC逐渐增大。
2023-07-14 15:10
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的
2023-11-29 17:46
使用评估电路来确认栅极电压升高的抑制效果。下面是栅极驱动电路示例，栅极驱动L为负电压驱动。CN1和CN4的+18V、CN
2023-02-27 11:50
