MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了MOS管的导通和截止状态，进而
2024-09-18 09:42
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和阳极之间的电容效应，提高放大器的稳定性和频率响应。 在五极管中，帘
2024-09-24 14:34
音响设备中，电子管仍然因其独特的音质特性而受到一些音频爱好者的青睐。 帘栅极电压是电子管中的一个重要参数，它影响着电子管的工作状态和性能。在电子管中，帘栅极（grid）是用来控制阴极（cathode）发射的电子流的。
2024-09-24 14:42
栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加电压控制源漏极之间的电流通断。例如，在MOS管中，栅极电
2025-03-12 17:33
IGBT的栅极电压影响着集电极输出电流IC的大小，电路中如果用阈值电压VGE（th）不同的IGBT组成并联电路，即使栅极电压
2019-08-21 10:55
MOSFET工作在饱和区时，具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系，栅极的电压和漏极的电流的关系就是MOSFET的传输特性。
2023-11-27 18:03
。 ADuM4135提供米勒箝位，可在栅极电压低于2 V（典型值）时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路，都可以采用单极或双极次级电源供电。
2025-06-04 09:52
。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）的控制信号主要是电压信号，具体来说是施加在IGBT栅极（G）和发射极（E）之间的电压。IGBT是一种电压控制型器件，其导通和关断状态由
2024-08-14 16:42
五极管帘栅电位的测试方法通常涉及直接测量或间接通过电路分析来获取帘栅极的电压值。以下是一些常见的测试方法： 1. 直接测量法 使用万用表 ：这是最直接的方法。将万用表调至直流电压档（如果帘
2024-09-24 14:33
通常接地，其作用是帮助阳极共同吸引穿过栅极的电子，使其加速飞向阳极。由于帘栅极加有与阳极等值的直流电压，它又被称为第二阳极。帘栅极的存在不仅增大了阳极电流，还提高了电路
2024-09-24 15:28
