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    当MOS管的源极与栅极意外短时,可能导致电路失控,产生电流暴走、静电隐形杀手等问题。因此,必须严格遵守MOS管的操作规范,避免短事故的发生。

    2025-06-26 09:14 诺芯盛科技 企业号

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    2025-03-12 17:33

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    2019-10-07 14:26

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    2023-11-10 16:00

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    更高系统效率和功率密度,是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的,半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),可显著降低全负载及轻负载

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    2025-03-27 16:07

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    2020-09-14 15:55

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    2018-02-03 12:20