了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关HPA提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns，相对于1 s的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程
2019-02-27 08:04
MOS管栅极接的100K电阻起什么作用，这个电阻取值是的依据是什么。
2018-10-24 15:51
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的
2017-01-13 15:14
PWM0是由单片机产生的一百多KHZ的5V方波，不接入栅极时正常，接入后衰减到4点多V，并且R11越大，确定不是R16分压的问题，因为不接也会衰减，L3上接十多V的电源。接入前后PWM0波形如图所示：
2019-03-01 06:35
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00
图1所示为评估模块（EVM）示意图。图1：设计原理图栅极电荷和IC损耗在诸如LM2673的典型非同步降压稳压器中，功耗部件包括集成电路、电感器和箝位二极管。穿过输入和输出电容和寄生等效串联电阻（ESR）的均方根（RMS）电流非常低；因此，你可以忽略这些组件的损耗。
2022-11-16 07:54
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35
