IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（
2024-09-19 14:51
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制IGBT的导通和关断。
2023-01-17 13:59
半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上
2023-12-18 09:40
去客户工厂参观交流，了解到他们用到了我们代理的芯控源的IGBT模块AGM25T12W2T4，就想给大家讲下关于IGBT的知识和这款产品！
2023-06-21 09:17
本文开始介绍了电压降的概念和产生电压压降的原因，其次阐述了电压降是怎么产生以及分析了哪些场合需要考虑电压降，最后介绍了电压降
2018-04-03 15:44
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度;
2018-01-26 15:25
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少
2019-01-01 15:04
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-10 16:37
绝缘栅双极晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等优点，在电力电子领域得到了广泛应用
2024-08-14 16:42
英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。
2023-02-06 14:30
