具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性区和击穿
2024-07-11 15:12
3月7日，松江区新桥镇举行 2023 年度新桥镇优秀企业推介会暨 2024 年度重点项目集中签约仪式。
2024-03-11 17:15
MOSFET的RDS是正温度系数；VGS低于5.5V时，温度越高电流越大，功率MOSFET的的RDS是负温度系数。
2023-02-16 14:07
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和
2024-02-18 14:35
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽
2022-09-13 14:38
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GT
2023-07-04 16:46
在笔记本电脑主板、LCDTV主板、STB机顶盒等电子系统应用中，内部有不同电压的多路电源，通常需要采用功率MOSFET作为负载切换开关，控制不同电压的电源的上电时序；同时还有USB接口，用于输出5V
2023-02-16 11:26
自2018年开始，功率MOSFET的平均售价持续上升，其中以工作电压范围超过400伏特高电压功率MOSFET产品成长幅度最显著，已位居
2019-07-05 14:52
据松江区消息：随着上海超硅半导体有限公司300毫米全自动智能化生产线项目日前在松江经济技术开发区开工，松江
2018-08-28 16:17
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是
2023-10-26 11:38
