### 6R190C6-VB MOSFET 产品简介6R190C6-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO263封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力,适合于中等电压和电流处理能力
2024-11-18 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6R190C6-VB产品简介6R190C6-VB 是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术。这款器件设计用于高压应用,具有良好
2024-11-18 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术
2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介6R190C6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适合于中高功率和中高压的电力电子应用。它具备较低的导通电阻和高连续漏极电流能力,适用于要求高效能
2024-11-18 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:MOSFET型号:6R190E6-VB TO220 封装:TO220 构型:单N沟道 耐压(VDS):650V 栅极-源极电压
2024-11-18 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
EK-VCK190-G 开发板介绍EK-VCK190-G 是一款高性能的开发板,专为嵌入式系统和智能设备应用设计。该开发板集成了先进的处理器和丰富的接口,适合各种开发需求,广泛应用于物联网、智能家居
2024-04-30 10:52 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介:MOSFET型号:6R190P6-VB 封装:TO220F 配置:单N沟道 耐压(VDS):650V 栅极-源极电压(VGS
2024-11-18 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号