第四代半导体我们其实叫超禁带半导体，它分两个方向，一是超窄禁带，禁带宽度（指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量）在零点几电子伏特（eV），比超窄禁带更窄的材料便称为导体；
2022-08-22 11:10
半导体一般由锗和硅两种材料构成，而由于我们生活的环境的温度不是绝对零度，所有会有本征激发(电子脱离质子的吸引力而转变成为自由电子 如下图)，这就是温度可以改变半导体的特性。那么我就要引入能级了。
2018-06-17 09:47
失, 达到动态平衡时会有确定的电子 - 空穴对浓度。常温下, 载流子很少,导电能力很弱。当温度升高或光照增强时, 激发出的电子 - 空穴对数目增加, 半导体的导电性能将增强。利用本征半导体的这种特性, 可以
2018-10-22 10:03
在常温下，本征半导体呈现为稳定的晶体结构，当对本征半导体进行加热后，由于热运动，价电子积攒了足够的能量后，挣脱共价键的束缚而成为自由电子，其带负电
2022-11-02 10:35
本征半导体：本征半导体主要由价电子和空穴组成。在常温下，自由电子和空穴的数量很少，因此它的导电能力比较微弱。另外，本
2023-12-13 11:10
半导体 材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。(由于不含杂质且为
2020-10-30 20:10
刘剑洪表示，本征化学石墨烯核心技术包括液相法合成单原子层石墨烯、液相法合成单原子层石墨烯、单原子层石墨烯水溶液等。
2020-09-05 09:54
根据 dasp.in 中的参数intrinsic = T，DEC模块将产生HfO2的本征缺陷，即生成HfO2/dec/Intrinsic_Defect计算目录，在其下面分别有空位缺陷V_Hf，V_O，反位缺陷Hf_O，O_Hf，间隙位缺陷Hf_i
2023-04-18 10:58
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能
2022-01-06 09:27 深圳市致知行科技有限公司 企业号
昨日，中国人民银行发布了关于《征信业务管理办法（征求意见稿）》称，为规范征信业务及其相关活动，加强征信监督管理，促进征信业健康发展，征信机构采集信用信息，应当遵循“最少
2021-01-12 11:12
