半导体一般由锗和硅两种材料构成，而由于我们生活的环境的温度不是绝对零度，所有会有本征激发(电子脱离质子的吸引力而转变成为自由电子 如下图)，这就是温度可以改变半导体的特性。那么我就要引入能级了。
2018-06-17 09:47
ZnGeP2是一种非线性光学材料，但是其带隙内存在的较多光吸收峰限制了其应用，实验上认为这些吸收与点缺陷相关。因此，有必要对ZnGeP2的点缺陷性质开展理论计算，分析不同制备环境下其吸收峰的来源。
2023-05-19 10:25
针对任一半导体，DASP软件可以计算给出如下性质：热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷（含杂质，下同）形成能、缺陷转变能级、各生长条件下的费米能级、载流子和缺陷浓度、缺陷的光致发光谱、缺陷对载流子的俘获截面、辐射和非辐射复合速率等。
2023-05-16 17:22
TDDFT面板Method一般建议选TDDFT，Multiplicity可选单重或三重或单重加三重。激发态数目默认计算6个，建议计算数目比实际想要的激发态数目多3个，如想计算10个态，此处可写13。
2022-09-29 11:34
精密光激发报警电路 光敏CDS电池R8接在由IC1构
2009-09-04 16:52
带断续音频输出的暗激发报警电路 或非门a和a构成低频
2009-09-04 17:24
带锁闭电路的光激发报警器 在该电路中.
2009-09-04 16:34
从而可以调控量子点的激发。利用该方法可以实现对相距几十纳米的两个量子点的选择性激发，实验中通过对相距100 nm的两个量子点的选择性激发演示了该技术的可行性。通过将结构照明显微成像技术与金属纳米线上的表面等离激元干涉
2018-05-10 10:02
音频断续 光激发的高频率输出报警电路
2009-09-04 17:58
TSC模块将使用与 Materials Project 数据库提供的输入参数（INCAR，KPOINTS，POTCAR）来对用户给定的原胞做结构优化和静态计算，该计算得到的总能与MP数据库的总能是可比的。此步骤是为了得到影响ZnGeP2稳定性的 关键杂相 。
2023-05-19 10:35
