理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET
2021-08-29 18:34
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关
2021-09-05 07:00
一个下拉电阻。作用：确保给GS电容提供放电回路——确保关断，低态。这样MOSFET就只有两态，不是高就是低。另外，下拉电阻
2021-05-10 09:52
就不用栅极电阻控制端直接连向栅极。想问下大家。 1.什么时候可以不加栅极电阻，什么时候需要加上栅极电阻。感觉是和GS间结电容有关或和
2013-02-08 15:28
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关
2023-02-27 11:52
程师的这些要求。英飞凌几年前开发的OptiMOS™3技术相对于现有的其他MOSFET技术，可使通态电阻RDS(on) 大幅降低60%。另外还可大幅降低CGS （栅极至源极）和 CGD （栅极至漏极）电容
2018-12-06 09:46
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
场效应晶体管（Junction FET）的简称，产生一个寄生的JFET，结型场效应管是以PN结上的电场来控制所夹沟道中的电流，从而增加通态电阻。平面MOSFET的RDS(ON)由于下面几个部分组成：RS : 源
2016-10-10 10:58
就不用栅极电阻控制端直接连向栅极。想问下大家。 1.什么时候可以不加栅极电阻，什么时候需要加上栅极电阻。感觉是和GS间结电容有关或和
2013-03-09 12:58
沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道
2018-10-25 16:11
