VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压，在管子工作时，这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时，VDS电压都要降额80%选用。
2023-05-29 15:12
随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiC MOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中，推出相关产品。
2022-07-25 09:34
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介绍绝对最大额定值相关的参数。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数，参数列表如下所示。
2023-04-26 17:51
碳化硅MOSFET模块，全球市场总体规模，前二十大厂商排名及份额
2023-09-13 21:52
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32
预期台系MOSFET芯片厂正式调涨报价的动作，也将开始鸣枪起跑。
2018-07-26 09:45
部分国产碳化硅MOSFET厂商“避谈栅氧可靠性”的本质：电性能的显性参数与栅氧可靠性的隐性质量的矛盾 部分国产碳化硅MOSFET厂商钻的空子正是大部分下游客户没有验证S
2025-04-27 16:26
在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55
台湾调研公司Digitimes Research预计，明年联想一体机出货量预计将达到400万台，从而超越苹果成为全球最大一体机厂商。
2011-12-09 08:51
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
