电子发烧友

本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要随着新能源技术的不断发展，系统对电力电子变流器的要求也越来越高。高效率、高可靠性和高功率密度越来越受到设计人员的重视，并可能成为当前和下一代变换器的标准

2025-09-17 17:05 英飞凌工业半导体 企业号

通过对比三篇SCI一区论文，期刊分别是IEEE Transactions on Vehicular Technology ， nature communication， IEEE TRANSACTIONS ON CYBERNETICS ，总结摘要的7句话写法。

2022-08-24 10:31

本论文摘要由PCIM官方授权发布1简介本文介绍了一种用于储能系统（ESS）的自适应驱动器优化策略，以应对过载可靠性和运行效率方面的挑战。通过根据实时负载条件动态调整栅极电阻（Rgon/Rgoff

2025-08-15 17:34 英飞凌工业半导体 企业号

完整版内容请关注2025PCIMAsia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要本文介绍了一种基于英飞凌S-cell产品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率

2025-09-02 18:42 英飞凌工业半导体 企业号

*本论文摘要由PCIM官方授权发布内容摘要400VSiCMOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在

2025-09-24 19:05 英飞凌工业半导体 企业号

完整版内容请关注2025PCIMAsia英飞凌将为您带来更多分享*本论文摘要由PCIM官方授权发布摘要英飞凌CoolSiCMOSFETG2通过单元间距缩小和结构优化实现了更高的性能。本研究通过在

2025-08-20 17:04 英飞凌工业半导体 企业号

/摘要/并联SiCMOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiCMOSFET分流影响的理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型

2024-07-25 08:14 英飞凌工业半导体 企业号

/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOSFET技术开关损耗低、导通电阻小，非常适合三

2024-08-08 08:14 英飞凌工业半导体 企业号

PCB技术.技巧、经验、文摘集锦 1.在protel99中如何添加原tango中的库（如TTL.LIB/COMS.LIB等)2.GERBER有两种格式3.关于gerber文件读入pro

2010-03-09 11:37

在智能制造研究领域发文量居首位的国家是美国，发表论文412篇，占文献总量的26.3%，具有非常明显的学术优势。其次是英国、德国等欧洲地区，共发表论文346篇，占比为22

2019-08-06 08:44