High ESD I/OM31’s I/O Libraries now include integrated ESD cell designs for General I
2024-07-10 11:51 M31 Technology 企业号
ONFI I/OONFI I/O is a non-volatile memory interface technology with high bandwidth capabilities
2024-07-10 14:33 M31 Technology 企业号
型号: IPP048N04NG-VB丝印: VBM1405品牌: VBsemi参数:- 封装: TO220- 沟道类型: N—Channel- 额定电压(V): 40V- 额定电流(A
2023-12-29 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: NTD5407NG-VB丝印: VBE1410品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: TO252- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 40V- 最大电流
2024-02-20 10:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号