功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19
发现，某些企业对IGBT晶体管倍加推崇，而对晶闸管全面否定，显然，这是不科学的。为了尊重科学和澄清事实，本文就晶闸管和以IGBT为代表的晶体管的性能、特点加以分析和
2018-10-17 10:05
连接到 SCR 的阴极。记下欧姆表上显示的电阻值。它应该显示非常高的电阻值。如果读取的值极低，则SCR 短路，需要更换。 9. IGBT和晶闸管哪个更好？ IGBT比典型的
2023-02-06 14:09
什么是晶闸管及其分类?晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。&
2009-08-12 00:20
的。IGBT故障的原因是什么？IGBT的故障模式表现为某些关键电气参数退化（例如漏电流、阈值电压）或功能丧失（无法关闭）。故障原因可能是由于环境条件或操作条件造成的。IGBT是
2023-02-02 17:05
晶闸管（晶体闸流管VT）又叫可控硅。晶闸管具有功率大，效率高，体积小，质量轻和寿命长的优点，广泛用于电机调速，电解，电镀，电焊机，发电机励磁等领域。晶闸管的缺点：过载能力差，抗干扰能力差，控制线路较
2021-07-07 06:49
IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试
2015-03-11 13:15
PNPN 4层结构，因体内存在一个寄生晶闸管，当集电极电流增大到一定程度时，则能使寄生晶闸管导通，门极失去控制作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。IGBT发生擎住效应后，集电极电流增大，产生
2020-09-29 17:08
晶闸管是具有四层交替P型和N型材料的四层半导体层或三层PN结器件的固态半导体器件。它也被称为“SCR”（硅控制整流器）。术语“晶闸管”源自晶闸管（一种用作SCR的气体流体管）和晶体管。它专门用作
2023-02-09 10:15
就无法工作，这意味着它们在诸如警报器之类的设备中并没有那么有用。对于这些情况，晶闸管就派上用场了。晶闸管又叫可控硅。晶闸管是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量
2023-02-22 15:40
