本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介
2018-03-27 18:21
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；
2017-05-20 09:53
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
在电力电子领域，晶闸管作为重要的半导体器件，被广泛用于各种电路控制中。其中，门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）和普通晶闸管是
2024-05-27 15:24
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。
2017-05-10 17:18
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-04-25 14:43
晶闸管是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四
2019-07-29 15:38
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG
2017-05-20 10:07
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-06-02 11:01
本文主要介绍了晶闸管的四点工作特性以及晶闸管的结构与工作原理。晶闸管正常工作时，承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发
2018-01-16 11:33
