晶闸管各部分的掺杂浓度如图4所示。其中与阳极和阴极相连的分别为重掺杂的P+和N+层，与门极相连的重掺杂P+层，此三层的厚度（在图中体现为宽度）都较小，剩下的一层为相对轻掺杂的层N-层，其厚度较大，而厚度较大的轻掺杂对器件的耐压和通态特性都有显著的影响。
2018-05-23 08:38
单向晶闸管内有三个PN 结，它们是由相互交叠的4 层P区和N区所构成的。如图（a） 所示。晶闸管的三个电极是从P1引出阳极A，从N2引出阳极K ，从P2引出控制极G ，因此可以说它是一个四层三端半导体器件。
2019-09-13 11:05
本文主要介绍了晶闸管的四点工作特性以及晶闸管的结构与工作原理。晶闸管正常工作时，承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管
2018-01-16 11:33
可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样，也是由PNPN四层半导体构成，外部也有三个电极，即门极G、阳极A和阴极K。普通单向晶闸管只构成一个单元器件，而可关断
2021-01-07 15:11
功率电子电路是以功率电子器件为基础在近十多年所发展起来的一种含有多种学科交叉的电子电路。
2017-05-31 15:15
瞬态电压抑制晶闸管是一种用于保护电路免受瞬态过电压冲击的半导体器件。随着电子技术的不断发展，电子设备对于电压波动的敏感性越来越高，因此瞬态电压抑制晶闸管在电子系统中的应用日益广泛。本文将对瞬态电压抑制晶闸管的基本
2024-05-27 14:39
发射极关断 (Emitter Turn-Off， ETO）晶闸管具有栅极截止晶闸管的耐高电压和高电流的能力．以及易于控制 MOS 栅极的优点，其他功能包括高电压电流整流能力和器件电流检测能力。ETO 晶闸管的
2024-01-19 16:23
根据普通晶闸管的结构可知，门极与阴极之间为一个PN结，具有单向导电性，而阳极与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此通过万用表R*100或R*1K挡测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
2019-09-14 11:11
交流/直流转换、电机控制、电力调节等。 1. 晶闸管的结构和工作原理 晶闸管由四个层次的半导体材料组成，通常为P-N-P-N结构。这四个层次分别是： 阳极（Anode）
2024-10-08 09:22
晶闸管家族，但在结构、工作原理、性能特点以及应用方面存在显著的差异。本文将对这两种晶闸管进行详细比较，以便读者更好地理解它们之间的区别。
2024-05-27 15:24
