，最终的结果都可以归纳为电压击穿，就是说晶闸管烧坏的最终原因都是由电压击穿造成的，其表面的烧损痕迹也是由电压击穿所引起的，这点我们在
2014-01-13 11:41
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿
2009-10-06 09:30
什么是晶闸管及其分类?晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。&
2009-08-12 00:20
排列。 2．判断其好坏 用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电
2013-12-03 11:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 编辑 中频炉晶闸管冷却及使用中频炉晶闸管的发热中频炉晶闸管在工作过程中，由于各种损耗产生热量而使结温升高。而元件是和种热当量相当
2013-01-02 10:02
非常相似。因此，晶闸管阻止反向电流的流动，直到在一定的高电压水平下，超过了两个外部连接点的击穿电压点，晶闸管在没有门信号的情况下导通。这是晶闸管的一个重要的负极特性，因
2022-04-27 11:32
晶闸管（晶体闸流管VT）又叫可控硅。晶闸管具有功率大，效率高，体积小，质量轻和寿命长的优点，广泛用于电机调速，电解，电镀，电焊机，发电机励磁等领域。晶闸管的缺点：过载能力差，抗干扰能力差，控制线路较
2021-07-07 06:49
导致传导状态发生的原因上有所不同。三引线晶闸管栅极引线上的适度电流调节阳极至阴极电路的较大电流。当阳极和阴极之间的电位差足够大（击穿电压）时，双引线晶闸管开始传导。 第一批晶
2023-02-06 14:07
晶闸管是具有四层交替P型和N型材料的四层半导体层或三层PN结器件的固态半导体器件。它也被称为“SCR”（硅控制整流器）。术语“晶闸管”源自晶闸管（一种用作SCR的气体流体管）和晶体管。它专门用作
2023-02-09 10:15
（∞）;如果正向和反向电阻值为零或电阻值都很小，则表明晶闸管内部发生击穿短路或泄漏。测量栅极G和阴极K之间的正向和反向电阻值，通常应有类似于二极管的正向和反向电阻值（实际测量结果小于普通二极管），即正向电阻值
2023-02-09 10:18
