谁来阐述一下mos管和三级管之间的区别？
2019-10-28 14:55
。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。 （五）按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）
2019-03-04 06:00
**Mosfet **和 IGBT 驱动对比的简介简述：一般中低马力的电动汽车电源主要用较低压（低于 72V）的电池组构成。由于需求的输出电流较高，因此市场上专用型的 Mosfet 模块并不常见，所以部分设计者可能会存在没有合适的 Mosfet 模块使用，而考虑使用功率 IGBT模块。本文简单的探讨两种模块驱动设计时必须注意的问题供设计者参考。**常见应用条件划分： **选用 IGBT 或 Mosfet 作为功率开关本来就是一个设计工程师最常遇到的问题。如果从系统的电压、电流和切换功率等因数来考虑，IGBT 和 Mosfet的应用区域可简单的划分如下：根据上述描述，可以用下图来更清楚的看出两者使用的条件。图中的斜线部分表示 IGBT 和Mosfet 在该区域的应用都存在着各自的优势和不足，所以该区域 两者皆可选用 。而 “？” 部分表示目前的工艺尚无法达到的水平。对于中低马力的电动汽车而言，其工作频率在 20KHz 以下，工作电压在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以选择，所以也是探讨比较多的应用。**特性对比： **Mosfet 和 IGBT 在结构上的主要差异来自于高压化的要求，因此也形成了 Mosfet 模块与 IGBT 模块输入特性不同，以下就从结构的角度出发来作一简要说明。Mosfet 和 IGBT 的内部结构如图 2所示。Mosfet 基本结构 IGBT 基本结构功率 MOSFET 与 IGBT 的构造比较功率 Mosfet 是通过在门极G上外加正电压，使 p 基极层形成沟道，从而进入导通状态的。此时，由于 n 发射极（源极S）层和 n 基极层以沟道为媒介而导通，Mosfet 的漏极D—源极S之间形成了单一的半导体。n 基极层的作用是在关断状态下，维持漏极D—源极S之间所外加的电压不至于使其击穿。因此需要承受的电压越高，该层就越厚。需求元件的耐压性能越高，漏极—源极之间的电阻也就必须越大，所以大电流的应用则通常必须透过并联才能达到。为了改善 Mosfet 的限制，IGBT 在Mosfet 的基础上追加了p+ 层，所以从漏极方面来看，它与 n 基极层之间构成了 pn 二极管，大大提高了耐压性能。如此结构同时形成一个结型场效应管JFET 来承受大部分电压 ，让结构中的Mosfet 不需承受高压，从而可降低通态电阻的值，能更容易地实现高压大电流。对于 Mosfet来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，因此，很容易实现极短的开关时间。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也参与了导电。所以 IGB 结构虽然使导通压降降低，但是存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗，延迟时间（存储时间），以及在关断时还会引发集电极拖尾电流就限制了 IGBT 的开关频率。结合上文所述可以看出 Mosfet 开关损耗小，开关速度快，所以适用于高频切换的场合；IGBT 导通压降低，耐压高，所以适用于高压大功率场合。所以从功耗的角度来说，应用时要注意对于驱动开关频率、门极电阻和驱动电压的调节，以符合系统温升的要求，并且对于系统中的做出调整。一般而言，IGBT的正压驱动在15V 左右，而Mosfet 建议在10—12V 左右；驱动电压负压的作用主要是防止关断中的功率开关管误导通，同时增加关断速度。因为 IGBT 具有拖尾电流的特性，而且输入电容比较大，所以建议在-5—-15V之间，而Mosfet因为拖尾电流的特性不明显，所以建议加-2V 左右的负压。一般应用工程师所参考的等效电路为图从等效电路图中可以看出Mosfet 电路中存在一个寄生的二极管。可在特性曲线图四中看出，Mosfet 和IGBT 的最大差异的部分是当漏极—源极之间的电压大于芯片能承受的规定电压时，Mosfet 就会操作在崩溃区，其机制等效为 Mosfet 的反并联二极管是一个齐纳二极管，当能量超过某一值时，就会造成齐纳击穿，但除非无法降低漏极的电感，一般不建议操作在崩溃区。图 3 Mosfet 和 IGBT 简化等效电路图图 4 Mosfet 和 IGBT 输出特性曲线从图3等效电路图中可以看出，IGBT 和 Mosfet 差异还在于 IGBT 在导通之前，存在二极管的顺偏导通压降，如图 4 所示（蓝色表示 Mosfet 的特性曲线，红色表示 IGBT 的特性曲线）。所以从图4中也可以看出部分差异，当模块在相同小电流条件下正常工作（工作在饱和区）时，IGBT 的导通压降大于 Mosfet，即 IGBT 的导通损耗大于Mosfet。综上所述，对于 Mosfet 和IGBT 的差异已有简单的了解，下文将在此基础上，整理 Mosfet（IGBT）替换 IGBT（Mosfet）时设计的注意事项。Mosfet（IGBT）替换 IGBT（Mosfet）时设计注意事项：如原系统功率模块使用 IGBT，现考虑用 Mosfet 功率模块替换，原系统的驱动设计需注意的事项如下：1.适当减小栅极电阻，以减小开关损耗，以维持相近的温升，同时可进一步降低误导通的可能性；2.检测 Mosfet 的漏极—源极之间的电压，相应调整吸收电路，防止崩溃能量过高而击穿；3.对系统中相关的保护电路做出调整，特别对于过电流保护点等，必须根据规格书所给条件重新设置；4.对于系统中的驱动电压做出调整。一般建议正压在 10—12V 左右，负压为-2V 左右。如原系统功率模块使用 Mosfet，现考虑用 IGBT 功率模块替换，原系统的驱动设计需注意的更改事项如下：1.适当增大栅极电阻，防止过压击穿，此操作必然会增加切换损耗，所以必须特别关注模块温升，防止模块温度过高；2.检测 IGBT 的栅极—发射极之间的电压，增大关断时的负压值，防止误导通；3.对系统中相关的保护电路做出调整，特别对于过电流保护点等，必须重新设置；4.对于系统中的驱动电压做出调整。一般建议正压在 15 左右，负压为-5—-15V。
2022-09-16 10:21
1. 可控硅和晶闸管有什么区别？ 晶闸管是具有三个PN结的四层半导体器件。它也被称为“SCR”（硅控制整流器）。短语“晶闸管”是
2023-02-06 14:09
为什么只能在mos管的饱和区进行小信号的放大？？三极管区不能进行小信号的放大呢？？
2012-12-23 20:25
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2019-10-24 09:19
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2012-08-20 08:28
什么是晶闸管及其分类?晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。&
2009-08-12 00:20
晶闸管的工作原理 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源
2009-04-26 13:23
导通性，即G极输入触发电流后。无论T1、T2间的电压方向如何。它都能够导通。双向晶闸管的等效电路和电路符号如图2-26所示（ 2）双向晶闸管的导通方式双向晶闸管与单向晶闸管
2017-05-16 09:02
