l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
pn结和pin结是两种最基本的器件结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容；（2）都
2013-05-20 10:00
与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对pn结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个pn
2016-11-29 14:52
复杂，易使电网电压波形畸变导致对其他电子设备干扰。按电能转换和调节方式来划分晶闸管，常用作可控整流器，交流调压器，变频器和无触点开关。晶闸管种类很多，本章介绍单向晶闸管和双向晶
2021-07-07 06:49
第一章PN结伏安特性曲线当加在二极管两端的电压达到0.7V左右时，二极管正向导通；当反向电压超过U（BR）一定值后就会出现齐纳击穿，当反向电压继续增大就会出现雪崩击穿。温度...
2021-11-15 06:43
重要的地位。▲ Boltzmann常数01实验及数据分析 1.基于2N3904的Boltzmann常数在PN结两边，存在一个由电子-空穴扩散而形成的耗散区，以及伴随着的接触电位区，只有热量动能超过的电子
2020-07-13 07:50
再调换到另一个电极上，按上述方法进行测量，直到找出主电极T2。T2确定后再按下述方法找出T1和G极。由图1-1可见T1与G是由两个PN结反向并联的，因设计需要和结构的原
2021-05-12 07:14
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55
。1、【判断题】单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（×）2、【判断题】角频率ω和频率都是反映交流电变
2021-09-17 07:52
stm32有多少个gpio口，二、实现STM32 GPIO端口状态实现最大速度翻转文章目录[STM32系列]二、实现STM32 GPIO端口状态实现最大速度翻转前言一、实验准备二、测试1.C语言翻转
2021-08-09 08:29
