晶片电阻又称厚膜晶片电阻或金属膜电阻和片式电阻，不管哪个各种名称都是根据它的膜层厚度、形状及膜层材料来区分
2019-09-22 11:06
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子
2022-04-13 13:35
通过单晶生长工艺获得的单晶硅锭，因硅材质硬脆特性，无法直接用于半导体芯片制造，需经过机械加工、化学处理、表面抛光及质量检测等一系列处理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，针对硅锭的晶片切割工艺是芯片加工
2025-06-06 14:10
单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤： 一、基本制备流程 研磨：采用研磨液对InP（磷化铟）晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化铝）和悬浮剂，其中Al2O3的粒径通常在400
2024-12-11 09:50 广州万智光学技术有限公司 企业号
作为用于高寿命蓝色LD (半导体激光器)、高亮度蓝色LED (发光二极管)、高特性电子器件的GaN单晶晶片，通过hvpe (氢化物气相)生长法等进行生长制造出了变位低的自立型GaN单晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50
薄膜精密晶片电阻，厚膜电阻一般精密程度不高，多数是1%、5%、10%等，而薄膜电阻则可以做到0.01%精度，0.1%精度等；4、根据温度系数
2019-05-17 10:18
晶振是由压电晶体构成的。压电效应使晶体能够在一定频率下振荡，为电路提供稳定的频率信号。晶体的品质因数Q值越高，晶振的频率稳定性越好。晶体的振动频率和晶片的厚度，面积，切割方式有关。
2024-12-03 16:04
使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1
2023-05-31 10:30
为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10
