由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频器件等。相比异质衬底外延， 基于自支撑氮化镓晶圆片的同质外延可能是大多氮化镓基器
2023-02-14 09:18
单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关，虽然半导体器件的制备只在晶
2019-10-14 09:14
半导体制造设备厂商DISCO Corporation（总部：东京都大田区；总裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一种使用激光加工的晶锭切片方法），并开发了一种针对GaN（氮化镓）晶圆生产而优化的工艺。通
2023-08-25 09:43
MPW ：多项目晶圆，将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片
2023-12-05 10:07
衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延
2024-05-23 11:49
作为半导体单晶材料制成的晶圆片，它既可以直接进入晶圆制造流程，用于生产半导体器件；也可通过外延工艺加工，产出外延
2024-04-24 12:26
晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入
2018-08-28 14:44
先将光阻材料放在晶圆片上，透过光罩将光束打在不要的部分上，破坏光阻材料结构。接着，再以化学药剂将被破坏的材料洗去。
2019-12-19 14:47
在接下来的一个章节里面，我们将主要介绍用砂子制备半导体级硅的方法，以及后续如何将其转化为晶体和晶圆片(材料制备阶段)，以及如何来生产抛光晶
2023-12-18 09:30
一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目？这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是
2016-06-02 02:39
