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半导体晶圆形貌厚度测量是制造和研发的关键环节，涉及精确度和稳定性。面临纳米级别测量挑战，需要高精度设备和技术。反射、多层结构等干扰因素影响测量准确性。中图仪器推动测量技术发展，提高精度和速度，满足不同材料和结构需求。光学3D表面轮廓仪和台阶仪等设备助力测量，为半导

2024-01-16 13:32 中图仪器 企业号

对先进光刻掩膜光衍射的精密EMF模拟已成为预知光刻模拟的必做工作。

2012-05-04 16:28

晶圆在加工过程中的形貌及关键尺寸对器件的性能有着重要的影响，而形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等就成为加工前后的步骤。以下总结了从宏观到微观的不同表面测量方法：单种测量手段

2023-11-02 11:21 中图仪器 企业号

那么晶圆为什么是圆形而不是矩形的呢？特别是我们见到的CPU和GPU裸Die都是矩形，如果晶圆不是圆形而是矩形岂不是理论上可以完全无浪费的切割成小片，不是更好吗？

2020-01-18 10:14

等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。

2023-05-30 15:19

3d形貌轮廓仪除主要用于测量表面形貌或测量表面轮廓外，具有的测量晶圆翘曲度功能，非常适合晶圆，太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面

2022-12-06 09:56 中图仪器 企业号

在先进制程中，厚度(THK)翘曲度(Warp)弯曲度(Bow)三者共同决定了晶圆的几何完整性，是良率提升和成本控制的核心参数。通过WD4000晶圆几何形貌测量系统在线检测，可减少其对芯片性能的影响。

2025-05-23 14:27 中图仪器 企业号

WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR

2023-10-24 09:42 中图仪器 企业号

当硅的温度达到稳定状态时，将一个有适当方向(如晶向为〈111〉)的硅籽晶(seed)放入熔融硅中，作为后续生长较大晶体的起始点。当籽晶的底部开始在熔融硅中熔掉时，此时将籽晶的支撑往上拉起。

2023-12-25 18:11

  图1 PMMA颗粒形貌（扫描电镜SEM）       图2 PMMA颗粒形貌（扫描电镜SEM）       图3 PMMA颗粒形貌（扫描电镜SEM）   审核编辑：ymf  

2021-12-20 17:14