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2024-08-06 14:51
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2023-12-26 10:08
电子发烧友网站提供《MJE13005D高压快速开关NPN功率晶体管英文手册.pdf》资料免费下载
2025-03-21 16:52
TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51
TP90H050WS，900V，50mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一种常闭器件，结合了低电压具有业界领先的阈值电压的硅MOSFET增强的鲁棒性和抗噪性，以及市场上最可靠的耗尽模式GaN FET。
2022-03-31 14:46
TP90H180PS 900V 165mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。Transphorm GaN FET提供更好的性能通过更低的栅极电荷和更快的开关来提高效率速度和更小的反向恢复费用，提供与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。
2022-03-31 14:50
TP65H035BS 650V，35mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率，更快的切换速度和更小的反向恢复充电，与传统充电相比具有显著优势硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07
TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款使用Transphorm第四代平台的常闭设备。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34
