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2024-08-06 14:51
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2023-12-26 10:08
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2025-03-21 16:52
TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51
TP90H050WS，900V，50mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一种常闭器件，结合了低电压具有业界领先的阈值电压的硅MOSFET增强的鲁棒性和抗噪性，以及市场上最可靠的耗尽模式GaN FET。
2022-03-31 14:46
TP90H180PS 900V 165mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。Transphorm GaN FET提供更好的性能通过更低的栅极电荷和更快的开关来提高效率速度和更小的反向恢复费用，提供与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。
2022-03-31 14:50
TP65H035BS 650V，35mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率，更快的切换速度和更小的反向恢复充电，与传统充电相比具有显著优势硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07
TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管是一款使用Transphorm第四代平台的常闭设备。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05
场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是
2023-05-16 15:02
先说个冷笑话，IGBT，不是LGBT，不是性少数群体的意思……好了，回到正题。 IGBT晶体管，英文全称是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「绝缘栅
2021-02-03 17:37
