和集电极之间具有无限电阻，当它完全打开时，发射极和集电极之间的电阻为0，导致电流流到最大。 实际上，当晶体管在截止时（即完全关闭时）运行时，我们将有少量漏电流。另一方面，当在饱和区域工作时，该器件具有低
2023-02-20 16:35
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（
2019-09-26 09:00
向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元，以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减少晶体管
2023-02-24 15:20
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS
2019-06-26 07:11
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件，即不受单个平面的限制。它也被称为3D，因为具有第三维度。 为避免混淆，必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管
2023-02-24 15:25
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近
2024-01-26 23:07
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑 請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx
2018-05-31 18:21
