应用于5V驱动电压之产品能够提高产品的优越性增加系统可靠度在全负载条件之下，能具有较高的效率及较低的温度延长电池使用时间
2009-10-19 11:01
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为
2012-08-02 23:57
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34
常用晶体管
2012-08-20 08:41
Finfet技术（3D晶体管）详解
2012-08-19 10:46
晶体管参数
2012-04-19 06:47
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07
