类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率B
2023-02-03 09:36
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低
2019-04-09 21:49
特性，我们将首先从GaN器件驱动电路设计开始介绍。 正确设计驱动电路 诸如英飞凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之类的GaN晶体管采用了栅极p型掺杂工艺，这会将器件的栅极阈值电压
2021-01-19 16:48
直流电流增益率的关系式GI：数字晶体管的直流电流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2
2019-04-22 05:39
间电压 (VBE) 成比例的电流 (IB) 的hFE※1 倍的电流 (IC) 流经集电极。这一集电极电流IC流经电阻RL，从而IC×RL的
2019-05-05 00:52
晶体管的电流方向相反。如果使晶体管以开关方式工作，需要加大基极电流晶体管VCE的饱和状态当
2017-03-28 15:54
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用
2021-11-01 09:53
的输入阻抗。 晶体管通常遵循与单个晶体管相同的设计规则，但有一些限制。它需要更高的基极发射极电压才能导通，通常是单个晶体管的两倍。它的关断时间要长得多，因为输出
2023-02-16 18:19
晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电
2013-08-17 14:24
