调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管
2023-02-03 09:36
工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 按封装结构分类 晶体管按
2010-08-12 13:59
集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名，一般以树脂封装居多，这是其特点之一。功率晶体管
2019-05-05 01:31
如图所示。 图:常用塑料封装TO系列外形尺寸 在TO系列封装的晶体管中，其T0一3封装外形与国产
2008-06-17 14:42
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个
2023-02-16 18:19
集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管
2010-08-12 13:57
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12
我这有完整的《晶体管和IC的外形封装尺寸》，有了它LAYOUT就很方便了.
2012-08-03 22:00
的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分
2012-04-26 17:06
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字
2019-04-09 21:49
