在晶体生长的过程中，由于某些条件的引入将会导致结构缺陷的生成。
2024-01-05 09:12
浮区晶体生长是本文所解释的几个过程之一，这项关键性的技术是在历史早期发展起来的技术，至今仍用于特殊用途的需求。
2023-12-28 09:12
在接下来的一个章节里面，我们将主要介绍用砂子制备半导体级硅的方法，以及后续如何将其转化为晶体和晶圆片(材料制备阶段)，以及如何来生产抛光晶圆的过程(晶体生长和晶圆制备)。
2023-12-18 09:30
沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和晶圆，以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描述。生长450mm直径的晶体和450mm晶圆的制备存在的挑战性。
2018-07-19 10:09
晶体材料可能有两层原子结构。首先是原子以特定的形状排列在单个晶胞的特定的点上。
2023-12-22 10:21
一旦晶体在切割块上被定向了，我们就可以沿着切割块的这一根轴线打磨出一个平面或缺口(具体可以见下图所示)。
2024-01-08 09:47
我们看到的半导体晶圆是从一块完整的半导体大晶体切成出来形成的。
2023-12-25 09:28
）已达到12英寸的尺寸。同时，其熔体的制备方法更容易制备出厚度更大的晶锭，最高可达1米以上，大大降低了单位面积的衬底成本。因此，目前的制备方法和晶体尺寸的限制导致SiC衬底的市场价格很高，严重限制了下游行业[5]的进一步应用。
2023-12-20 13:46
晶体生长使用的原料为氧化镓粉末，纯度99.999%，采用中频感应加热，铱金发热体、铱金模具，铱 金坩埚周围放置氧化锆作为保温材料。
2022-11-23 11:06
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
2024-11-14 14:51
