AO3404采用先进的沟槽技术,提供优秀的无线电数据系统(ON)和低门电荷。该装置可作为负载开关或在PWM应用中使用。标准产品AO3404是无铅的(符合RoHS和索尼259规范)。
2019-06-14 15:02
每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图,该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N沟道
2023-01-04 15:08
LTM4612两相并联12V/10A设计
2014-05-26 11:56
本文从工业自动化领域的实际需求出发,深入浅出地分析了高性能AO技术应该具备的基本特点,并结合AD5755,提出了一种简单易行的解决方案。
2021-05-24 15:09
P型硅的衬底上,通过选择掺杂形成N型的掺杂区,作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。本期,合科泰给大家介
2024-09-13 09:14
超级结又称超结,是制造功率场效应晶体管的一种技术,其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定,
2022-09-13 14:38
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成,有截止区、线性区和饱和区。图示了NMO
2023-11-15 09:30
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化,表现出非线性的特性,超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术,如图1所示。相对于传统的平面结构,超结结构将P型体
2021-05-02 11:41
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13