图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路,P沟道的功率MOSFET的型号为:AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能,Q4控制电路的工作。图1:P沟道MOSFET
2017-04-06 14:57
问题1:最近,我们公司的技术专家在调试中发现,MOSFET驱动电压过高,会导致电路过载时,MOSFET中电流过大,于是把降低了驱动电压到6.5V,之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里
2016-12-21 11:39
静心刻苦钻研技术;4、吃苦耐劳,沟通能力强,服从工作安排,具备良好的团队合作精神; 上海地址:上海市普陀区中江路879号天地软件园27号楼407室(13号线大渡河路站)
2022-10-18 14:10
ADN4612-EVALZ,ADN4612评估板,11.3 Gbps,12×12数字交叉点开关。 ADN4612评估板通过顶部发射SMA连接器提供对ADN4612的所有
2019-09-02 08:14
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线,即FBSOA曲线,那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢?这个曲线
2016-10-31 13:39
DCDC微型模块稳压器LTM4612资料下载内容包括:LTM4612功能和特点LTM4612引脚功能LTM4612内部方框图LTM
2021-04-01 06:12
地址:普陀区同普路1220号同普大厦811 MiCOLab(地铁13号线祁连山南路站下车)活动形式:1.组队:自由组队,3人一组,1人负责硬件,2人负责软件;2.选题:可自主拟定项目主题或使用导师给定主题
2016-01-05 09:40
; 4、每年一次旅游; 5、不定期聚餐、团建; 6、每年一次体检。 地址:上海市普陀区 求职者请直接投简历或电联~ 投递邮箱:chenghj@tosoft.com.cn
2022-10-18 14:15
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
阻,减小热阻。这种结构是AOS的专利技术,目前AOS新一代的低、中压的功率MOSFET,广泛的采用这种结构,如AON6262E/AO4262E,就是采用这种技术,专门针
2016-10-10 10:58