概述 NY8B062E 是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器，專為家電或量測等等的I/O應用設計。採用CMOS製程並同
2022-01-25 07:33
=205]規格說明標題 項目 筆式記錄器 打點式記錄器 入力訊號 測量點數 1, 26測量週期 125ms10s/6ch入力種類 直流電壓：±10mV、0~20mV、0~50mV、±200mV、±1V
2013-07-25 14:00
EEPROM作為資料記憶體的 8 位元微控制器，在I/O的資源方面，NY8AE51D有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每
2022-10-10 11:46
置2.2.2 上位機本地通信設置0. 前言筆者最近需要使用到歐姆龍的多軸運動控制器來控制電機運動，但網路上關於Sysmac studio的教程或文章較為零散，作為初學者的筆者難以消化，故在稍微會用軟件後撰寫本文，為自
2021-09-07 08:06
互聯化辦公的引導下，加之軟硬件廠商不斷向商業應用傾斜，平板電腦必將在商用市場給傳統PC帶來不小的競爭壓力。IDC預計，2016年商用平板出貨量同比下降2.8%，低于整體9.2%的降幅。而到 2017年
2015-12-28 16:18
的可能性。在分析工作原理時，假定A接高電位，K接低電位，該器件的特性曲線如圖2所示，可以把導通與阻斷的過程分為四個階段。1)阻斷區：圖2中的0到VBR段。此時器件所加
2014-03-13 10:32
導率的材料,其差入損失的分佈為標準的常態分佈曲線,即窄帶分佈, 在最大的損失點具有高損失能力, 此數值太大時通常會造成該頻點或頻帶的信號損失過大,造成失真 。所有的電磁
2015-01-06 16:15
旁路電容(BY PASS 電容),就像看到一個低阻抗的通路,因此高頻信號會自動流經旁路電容下地,而每一個不同的電容值所產生的最大信號衰減頻率點及有效衰減頻
2015-01-08 12:16
旁路電容(BY PASS 電容),就像看到一個低阻抗的通路,因此高頻信號會自動流經旁路電容下地,而每一個不同的電容值所產生的最大信號衰減頻率點及有效衰減頻
2015-01-08 13:45
一、九齐NY8A072E单片机产品概述NY8B072E是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器，專為家電或量測等等的I/O應用設計。採用CMOS製程並同
2022-01-25 07:30
